[发明专利]一种HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310642924.0 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116525658A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李敏;龚谦;吴亮;钱蓉;马灵美 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括：部分被去除的衬底层；位于所述衬底层上的外延层，外延层包括成核层，成核层与衬底层接触；源电极区和漏电极区位于外延层上方的两侧；漏电极区设置有图形化得到的空白区域，空白区域贯通外延层并延伸至衬底层被去除的部分。本发明通过衬底层的部分被去除，可以避免被去除部分的衬底层和成核层之间形成导电层，降低衬底层引入的寄生电阻，减少射频损耗；同时，利用在源漏电极区及其外延层中贯穿的空白区域，可以提高器件的散热能力，控制热效应；另外，设置衬底层为低阻硅衬底，避免高阻硅基GaN外延材料的弯曲问题，以扩展晶圆尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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