[发明专利]一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202310643526.0 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116641133A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 柯少颖;季天;李志明;周锦荣;黄志伟 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 厦门市多顺知识产权代理事务所(普通合伙) 35295 | 代理人： | 简梅芳 |
| 地址： | 363000 福建省漳州市县*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：制备单晶硒化铂薄膜化学气相沉积装置为：以直径大于等于9cm的石英管的石英管腔体作为反应腔体，一端为载气入口，另一端为载气出口，惰性气体作为载气；反应腔体内包含两个温区，气流上游为低温区，用石英片放置硒粉，气流下游为高温区，放置氧化硅衬底作为铂源基底，两个温区相通；低温区以1‑5小时上升到350℃后保持3‑8小时，高温区以1‑5小时上升到500～600℃后保持3‑8小时，保持过程即为硒化过程。本发明可制备出均匀高质量的单晶硒化铂薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 硒化铂 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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