[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202310652312.X 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN116594257A 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 申请(专利权)人: 三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟海胜;郭玫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外,提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜,上述防护膜的厚度为200nm以下,上述防护膜包含碳纳米管片,上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆,上述捆的直径为100nm以下,上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向,上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上,上述防护膜具有50%以上的透射率。
搜索关键词: 防护 及其 组件 制造 方法 曝光 原版 装置 半导体
【主权项】:
暂无信息
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