[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202310652312.X | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN116594257A | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟海胜;郭玫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外,提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜,上述防护膜的厚度为200nm以下,上述防护膜包含碳纳米管片,上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆,上述捆的直径为100nm以下,上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向,上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比R |
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搜索关键词: | 防护 及其 组件 制造 方法 曝光 原版 装置 半导体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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