[发明专利]一种新型Cd、Al共掺的铜锌锡硫硒薄膜制备方法在审

专利信息
申请号: 202310693272.3 申请日: 2023-06-13
公开(公告)号: CN116613246A 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 赵蔚;马丙隆;孙亚利;孙玉舟;马玉娇;李浩;王丹;师贵虎;王赟 申请(专利权)人: 河北工程大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0749
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 056038 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开一种新型Cd、Al共掺的铜锌锡硫硒薄膜制备方法,属于薄膜太阳能电池材料领域。本发明通过掺入不同比例的Cd/Zn去获得前驱体溶液,之后在前驱膜表面引入原子层沉积生长的Al2O3,再经高温退火得到吸收层薄膜,再用化学水浴法沉积CdS缓冲层,磁控溅射法制备窗口层,热蒸发法制备顶电极,该方法制备的铜锌锡硫硒薄膜结晶性良好,无二次相,不仅具有更好的开路电压,短路电流密度也有明显提升,最终基于Cd、Al共掺制备出的太阳电池光电转换效率达11.1%,相比于之前的8.5%的太阳电池光电转换效率提高了30.5%。
搜索关键词: 一种 新型 cd al 铜锌锡硫硒 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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