[发明专利]一种新型Cd、Al共掺的铜锌锡硫硒薄膜制备方法在审
申请号: | 202310693272.3 | 申请日: | 2023-06-13 |
公开(公告)号: | CN116613246A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 赵蔚;马丙隆;孙亚利;孙玉舟;马玉娇;李浩;王丹;师贵虎;王赟 | 申请(专利权)人: | 河北工程大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0749 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 056038 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: |
本发明公开一种新型Cd、Al共掺的铜锌锡硫硒薄膜制备方法,属于薄膜太阳能电池材料领域。本发明通过掺入不同比例的Cd/Zn去获得前驱体溶液,之后在前驱膜表面引入原子层沉积生长的Al |
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搜索关键词: | 一种 新型 cd al 铜锌锡硫硒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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