[发明专利]沟槽型MOS器件在审
| 申请号： | 202310737438.7 | 申请日： | 2023-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN116646380A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 韩小朋;彭虎 | 申请（专利权）人： | 苏州龙驰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOS器件，包括外延层以及与所述外延层匹配的电极，所述外延层内设置有栅槽，所述栅槽的槽底位于所述外延层的n型漂移区内，所述栅槽内设置有多晶硅栅，所述栅槽的槽底具有第一台阶结构，并且，所述n型漂移区内还设置有p型注入区，所述p型注入区沿所述器件的纵向与所述栅槽的槽底连接，且所述p型注入区具有与所述第一台阶结构仿形的第二台阶结构。本发明提供的一种沟槽型MOS器件，在栅槽底部形成台阶状的结构，并在栅槽的底部形成与栅槽底部台阶结构仿形的p型注入区，降低了电场的集中度，从而增强了栅槽comer的击穿场强，并且，相比于多步外延工艺，本发明的成本低，工艺简单，且适合大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 器件 | ||
【主权项】：
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