[发明专利]一种基于WOx有效

专利信息
申请号: 202310739403.7 申请日: 2023-06-21
公开(公告)号: CN116507195B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 刘雍;熊锐 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20
代理公司: 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 代理人: 余晓雪
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法,属于非易失性存储器领域。该模拟忆阻器的制备步骤如下:在衬底上沉积导电薄膜作为模拟忆阻器的下电极;采用溅射工艺在下电极上沉积连续WOx/YOy/WOx/YOy薄膜层,制备WOx/YOy双异质结构作为模拟忆阻器的介质存储层;介质存储层上沉积导电薄膜作为上电极,得到基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器。本发明制备的模拟忆阻器,制备方法可控,易于实现规模化,能实现对导电通道的可控调节,且模拟性能得到有效的提高,在神经网络计算方面具有良好的市场应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 wo base sub
【主权项】:
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