[发明专利]一种中精抛一体化的硅片加工方法在审
| 申请号： | 202310753926.7 | 申请日： | 2023-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN116604407A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何加华 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B55/00 |
| 代理公司： | 上海港慧专利代理事务所(普通合伙) 31402 | 代理人： | 郭嘉莹 |
| 地址： | 201900 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅片加工技术领域，具体地说，涉及一种中精抛一体化的硅片加工方法，包括于一抛光机台上设置一抛光布，所述抛光布可用于中抛工艺和精抛工艺；于所述抛光机台上设置经粗抛工艺处理后的硅片；通过所述抛光机台对所述硅片进行所述中抛工艺和所述精抛工艺；本申请通过将中抛工艺与精抛工艺组合到同一台机台上，仅需粗抛工艺与中精抛工艺组合，共两台机即可实现整个硅片加工流程，无需频繁切换机台，同时缩短整个工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中精抛 一体化 硅片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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