[发明专利]TOPCon太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202310761175.3 | 申请日: | 2023-06-26 |
公开(公告)号: | CN116544314A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 沈健;赵福祥 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 俞春雷 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种TOPCon太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:对清洗制绒后的硅片进行硼扩散、碱抛光,再在硅片背面沉积隧穿氧化层和掺杂层后退火并进行化学清洗;再次对硅片进行退火并在硅片背面形成氧化膜层,再在硅片正面沉积第一钝化膜层,然后在硅片的正面及背面均沉积第二钝化膜层,最后制备电极;掺杂层为磷掺杂纳米晶体氧化硅层。本发明中的TOPCon太阳能电池的制备方法,通过沉积磷掺杂纳米晶体氧化硅层代替传统的多晶硅层,有利于提高载流子收集的选择性,减少电池背面光的寄生吸收损失,有效提高电池背面的钝化质量;通过在硅片的正背面沉积第二钝化膜层,能够有效降低横向传输电阻,提升电池的性能。 | ||
搜索关键词: | topcon 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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