[发明专利]一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法有效
| 申请号： | 202310769418.8 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116504756B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 汪海燕;卢迪锋;李建恒;朱思坤 | 申请（专利权）人： | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/027;G03F9/00 |
| 代理公司： | 安徽凡谋有道知识产权代理事务所(普通合伙) 34307 | 代理人： | 司志红 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法，包括硅片，硅片的顶部依次设有氧化硅、光致抗蚀剂和金属层，金属层的顶部设有栅极氧化层，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的左右两侧设有对准标记，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的下方左右两侧设有用于防止金属层对对准标记覆盖的挡板组件，光致抗蚀剂位于对准标记上设有叠加标记，叠加标记的高度等于金属层和光致抗蚀剂之和，本发明通过叠加标记代替被覆盖的对准标记进行识别，可以针对金属层比较厚情况下进行对准，而且叠加标记的高度根据半导体以及器件电性的特点，在硅片上喷射相应的金属层体积，使得金属层刚好在叠加标记水平端上相平齐，方便叠加标记的轮廓清晰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 氧化 对准 标记 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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