[发明专利]一种翘曲晶圆应力消除方法有效
| 申请号： | 202310769716.7 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116504609B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨云畅;徐浩;刘满满;董鹏;边旭明 | 申请（专利权）人： | 北京无线电测量研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 贾学杰 |
| 地址： | 100143 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种翘曲晶圆应力消除方法，包括如下步骤：在室温下对翘曲晶圆进行曲率测试得到晶圆的翘曲度；根据晶圆的翘曲度选择粘附层和应力层的种类；在晶圆的背面依次形成粘附层和应力层，使得粘附层和应力层形成的应力与晶圆的应力平衡，从而使室温下的晶圆表面平整；器件工艺完成后，对粘附层和应力层进行第一段温度下的加热，所述第一段温度为25℃～75℃，然后对粘附层和应力层进行第二段温度下的加热，所述第二段温度为‑55℃～10℃，使粘附层和应力层从晶圆背面剥离，并使晶圆背面出现断裂，从而消除晶圆内部的应力。本发明能够消除晶圆翘曲对器件工艺的不利影响，并且能够消除翘曲晶圆内部的应力，防止碎片风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 翘曲晶圆 应力 消除 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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