[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202310796749.0 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116525577A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴珊;游咏晞 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/285;H01L21/321;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体制造技术领域。所述半导体结构至少包括：半导体层；铝金属层，形成在所述半导体层上，且所述铝金属层表面形成有多个凸部；以及反应层，设置在所述铝金属层上，所述反应层覆盖所述凸部，且在经过退火后，所述反应层与所述铝金属层反应，形成融合层。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，可提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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