[发明专利]射频半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202310836584.5 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116565004B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 岳丹诚;王畅畅;胡燕萌 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 郭亚丽 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种射频半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该射频半导体器件包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第一掺杂类型的阱区；与阱区接触设置的第一掺杂类型的掺杂区；设置在掺杂区远离阱区一侧，且与掺杂区接触的接地金属结构。根据本申请实施例，有利于提高LDMOS器件的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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