[发明专利]IGBT功率模块寿命预测方法及装置有效

专利信息
申请号: 202310854021.9 申请日: 2023-07-13
公开(公告)号: CN116579189B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 杨鑫;赵诗涵 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F119/02;G06F119/04
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 王娟;刘冬
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种IGBT功率模块寿命预测方法及装置。IGBT功率模块寿命预测方法中,根据Tj(max)、Tj(min)、△Rths计算待测IGBT功率模块的寿命Nf。其中,Tj(max)、Tj(min)分别对应为一个功率循环周期内待测IGBT模块中IGBT芯片结温最大值、IGBT芯片结温最小值;热阻偏差△Rths=(Rths,vRths)/RthsRths,v为所述待测IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻,Rths为理想IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻,理想IGBT功率模块的芯片焊料层为无初始空洞的芯片焊料层。
搜索关键词: igbt 功率 模块 寿命 预测 方法 装置
【主权项】:
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