[发明专利]一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法有效
申请号: | 202310952318.9 | 申请日: | 2023-08-01 |
公开(公告)号: | CN116699352B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 张贵军;刘玉国;高永兴 | 申请(专利权)人: | 苏州英特模科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01K13/00 |
代理公司: | 上海上谷知识产权代理有限公司 31342 | 代理人: | 蔡金塔 |
地址: | 215536 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法,该方法先设置一个起始的温箱温度并在该温度下进行HTRB,然后根据测试结果调整温箱温度再进行HTRB,如此经过有限次温度调整和HTRB后即可得到HTRB测试温度。通过本发明的方法,可以快速确定功率半导体模块高温反偏测试的测试温度,用时少,效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 模块 高温 测试 温度 确定 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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