[实用新型]MOS器件封装结构有效
| 申请号： | 202320004982.6 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN218918867U | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/492 |
| 代理公司： | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌胜 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种MOS器件封装结构，其栅极区和源极区分别通过第一金属线和第二金属线电连接到栅极引脚和源极引脚各自的焊接端，一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，漏极引脚进一步包括基板区和宽度小于基板区宽度的引脚条区，此引脚条区位于基板区一侧端，MOS芯片下表面的漏极区与金属支撑片之间通过导电焊膏层连接，漏极引脚的基板区上间隔地开有若干个第一通孔，此基板区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间，金属支撑片位于MOS芯片周边的边缘区沿周向间隔设置有若干个第二通孔。本实用新型MOS器件封装结构避免了MOS芯片相对于支撑片的翘曲，从而改善了器件电性的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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