[实用新型]半导体工艺设备及其下电极结构有效
| 申请号： | 202320418456.4 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN219553582U | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 姜艳杰;高瑞;王德志 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32;H01J37/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体工艺设备及其下电极结构，下电极结构包括基座、卡盘、顶针机构以及射频馈入机构，其中，卡盘设置于基座上方，用于承载晶圆；基座包括基座本体，基座本体内部形成有容置空腔，顶针机构包括顶针、顶针支架和中心导向轴，中心导向轴固定设置于容置空腔内，顶针支架能够沿中心导向轴升降以带动顶针升降，中心导向轴与卡盘同轴设置；射频馈入机构穿过容置空腔且与卡盘下表面的中央相连。射频馈入机构在容置空腔内倾斜设置，能够避让中心导向轴，使中心导向轴可与卡盘同轴设置。顶针机构升降的过程中，中心导向轴可使作用力分布在卡盘的轴线所在的直线上，因而使顶针机构对晶圆施加的作用力更加均匀，保证了晶圆升降过程的水平度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 及其 电极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202320418456.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挂接安装的监测仪表
- 下一篇：火龙果修剪装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
