[实用新型]一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件有效
| 申请号： | 202320831971.5 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN219419034U | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 余嫚玲 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯歌电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;H01L23/00 |
| 代理公司： | 苏州博格华瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 32558 | 代理人： | 丁浩秋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有双向ESD保护能力的SGT‑MOS器件，包括：源极金属，从上到下依次设置于源极金属下部的漂移区、衬底和漏极金属，以及MOS器件本体；源极金属的下部设置有N型重掺杂区和P型重掺杂区，N型重掺杂区和P型重掺杂区的下部设置有P型基区，P型基区设置于漂移区的上部；漂移区的上表面两侧均设置有屏蔽栅沟槽机构。本实用新型可以提供双向ESD保护能力，既充分利用了NPNPN结构高维持电压的特点，又利用了NPNPN结构反向为正向二极管的特点，通过两个镜像对称的NPNPN器件的连接，避免了反向击穿二极管，低保护能力的限制，同时实现对MOS器件的双向保护，可以实现耐高压，高维持电压，高匹配性等ESD保护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双向 esd 保护 能力 sgt mos 器件 | ||
【主权项】：
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