[实用新型]一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构有效

专利信息
申请号: 202320858882.X 申请日: 2023-04-18
公开(公告)号: CN219246688U 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 孙骏逸 申请(专利权)人: 苏州如涵科技有限公司
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;H01L31/107
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 王富成
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供了一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,属于激光雪崩光电二极管技术领域。该雪崩光电二极管抗干扰封装结构,包括主体机构和抗干扰封装机构。主体机构包括PCB基板和盖板,PCB基板表面与盖板底部贴合,抗干扰封装机构包括抗干扰部和封装部,PCB基板内壁开设有抗干扰部,封装部设于PCB基板和盖板贴合处,在本申请中,旨在改善APD的接收光谱范围较宽,对中心波长附近较大光谱范围以内的入射光具有响应,并且由于其高增益的特性,很容易收到杂散光的干扰,因此,对于部分信噪比要求较高的应用需要增加抗干扰措施的问题。
搜索关键词: 一种 雪崩 光电二极管 抗干扰 封装 结构
【主权项】:
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