[实用新型]一种提升干法刻蚀均匀度的装置有效
申请号: | 202320890422.5 | 申请日: | 2023-04-19 |
公开(公告)号: | CN219418951U | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 陶龙海 | 申请(专利权)人: | 上海芯之翼半导体材料有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/20;H01J37/21 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种提升干法刻蚀均匀度的装置,通过在静电吸盘的侧面上围绕设置位置校正机构,使位置校正机构紧密贴附于静电吸盘的侧面上形成同心状态,可在对聚焦环进行安装时,使聚焦环紧密套设于位置校正机构的外侧面上,并利用位置校正机构作用于聚焦环上的横向弹性力,使聚焦环得到相对于静电吸盘的自动对中以定位安装,并形成通过位置校正机构均匀隔离的安装间隙,因而在对晶圆进行工艺时,能在晶圆上获得分布均匀的等离子体,从而有效提升了干法刻蚀的均匀度,并由此提高了晶圆上的边缘良率。本实用新型有效解决了聚焦环安装时的居中难题,具有技术简单,效果明显的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 刻蚀 均匀 装置 | ||
【主权项】:
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