[其他]用工业纯原料气进行等离子化学气相沉积的涂层方法与设备

摘要

本发明属于金属表面处理中制备金属化合物涂层的方法和设备。工业纯原料气PCVD涂层方法与设备，采用专门设计制造的包括原料气处理系统、金属卤化物或其它液体汽化的装置以及离子轰击炉等几部分组成的等离子化学气相沉积设备，使用工业纯原料气，在低温、低真空、电压低于1000V、工件不旋转、废气排放符合中国国家标准的情况下制备金属化合物涂层，代替传统的涂层技术。

主权项

1、一种辉光放电作用下进行化学气相沉积制备金属化合物涂层的方法，其特征在于将工业纯原料气通入一种等离子化学气相沉积设备，与至少一种金属卤化物蒸汽一道输进设备的离子轰击炉，在温度400～650℃、真空度10～10-2mmHg、电压400～1000V以及工件不旋转的条件下进行等离子化学气相沉积(PCVD)，在工件表面获得金属化合物涂层的方法。