[其他]制备单晶硅片表面完整层的新途径无效
| 申请号： | 85100856 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100856A | 公开（公告）日： | 1986-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈燕生;马纪东;刘桂荣 | 申请（专利权）人： | 北京钢铁学院 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京钢铁学院专利代理事务所 | 代理人： | 刘建民 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单晶硅 表面 完整 新途径 | ||
【主权项】：
1、一种表面具有完整层，体内微缺陷高度弥散的单晶硅片，其特征在于微缺陷是氢沉淀。
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