[发明专利]电绝缘衬底无效
| 申请号： | 85101843.2 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1007385B | 公开（公告）日： | 1990-03-28 |
| 发明（设计）人： | 西村国夫;中山威久;津下和永;太和田目久 | 申请（专利权）人： | 钟渊化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/00 | 分类号： | H01B3/00;H01L21/00;C23C16/22;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春,肖掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在其上制作半导体或太阳能电池的由非单晶物质构成的电绝缘衬底，用等离子CVD(化学汽相淀积)法或溅射法淀积在基片上，含碳量按原子算不低于10％。电绝缘衬底比较薄而且有优越的耐热性和高的介质击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种在其上制作半导体或太阳能电池的电绝缘衬底，其特征在于该衬底包括：一层薄的金属片，以及一种淀积在该金属片上的非单晶物质，该非单晶物质是分子式如下的无定形物质：Si(1-x-y)CxXy:H式中X是以(N)，氧(O)，氟(F)，氯(Cl)，溴(Br)，和锗(Ge)这组元索中至少选出的一种，1＞x＞0.1，0.9≥y≥0；和1＞x+y≥0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钟渊化学工业株式会社，未经钟渊化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/85101843.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于立式流动的流体—固体接触的混合装置
- 下一篇：风力涡轮机
