[其他]电沉积抗电侵蚀的复合镀银层无效
| 申请号： | 85102279 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102279A | 公开（公告）日： | 1987-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郭鹤桐;唐志远;王兆勇;姚素薇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D3/64 | 分类号： | C25D3/64;C25D15/00 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 张宏祥,曲远方 |
| 地址： | 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 采用复合电沉积的方法，在铜或其他金属基体上沉积一层以银为主，含有占镀层体积0.1-2％，粒径为0.5-20微米的氧化镧微粒。这种复合银镀层具有较高的显微硬度，HV达90-100，比纯银高得多的耐磨性和耐电侵蚀性，电气性能与纯银相近，用来作电触点的表面层可以节约50-85％的白银。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 侵蚀 复合 镀银 | ||
【主权项】：
1、一种以银为基的复合镀层用于家用电器及小电流低压电器的电触点制造，其特征在于在复合镀银层中弥散有占镀层体积0.1-2%的氧化镧微粒，粒径在0.5-20微米之间。
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