[发明专利]电沉积抗电侵蚀复合银层的方法无效
| 申请号： | 85102279.0 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1010108B | 公开（公告）日： | 1990-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭鹤桐;唐志远;王兆勇;姚素薇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;C25D3/64 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 张宏祥,曲远方 |
| 地址： | 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 采用复合电沉积的方法，在铜或其他金属基体上沉积一层以银为主，含有占镀层体积0.1-2％，粒径为0.5-20微米的氧化镧微粒。这种复合银镀层具有较高的显微硬度，HV达90-100，比纯银高得多的耐磨性和耐电漫蚀性，电气性能与纯银相近，用来作电触点的表面层可以节约50-85％的白银。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 侵蚀 复合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电沉积抗电浸蚀的复合银层的方法，其特征在于镀液中含有：氯化银35-40克/升；氰化钾65-80克/升；氧化镧微粒(粒径＜5微米)0.1-50克/升；镀液温度15-30℃，阴极电流密度0.1-1安/分米2；阴极为纯银板，靠机械搅拌或镀液循环使微粒在镀液循环中充分悬浮，所得到的复合镀银层中弥散有占镀层体积0.1-2％的氧化镧微粒。
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