[其他]光电池

摘要

采用本发明的光电池备有透光性的基板，其基板上有透光性的第1电极层，其第1电极上有P型的第1半导体层。第1半导体层上有厚度约25-300可生成空穴的0.3ev以下的活化能源。该光电池还备有在第1半导体层上P型的第2半导体层，它有厚度约100-1000可生成空穴的0.3ev以上的活化能源。此外，该电池上还有第2半导体层上的I型第3半导体层、第3半导体层上N型的第4半导体层和第4半导体层上的第2电极层。

主权项

1、光电池，前述电池包括：透光性的基板、前述基板上的透光性的第1电极层、备有前述第1电极层上的第1导电型的第1半导体层、前述第1半导体层上有厚约25-300和可生成大量载流子的0.3ev以下的活化能源。前述电池还备有前述第1半导体层上的该导电型的第2半导体层，前述第2半导体层上有厚约100-1000的可生成大量载流子的0.3ev以上的活化能源、该电池还包括前述第2的半导体层上的第2导电型的第3半导体层、前述第3半导体层上第3导电型的第4半导体层、前述第4的半导体层上的第2的电极层。