[发明专利]光电池

摘要

采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有P型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为25-300A并具有可生成空穴的0.3eV以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为100-1000A并有可生成空穴的0.3eV以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的I型第三半导体层、第三半导体层上N型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。

主权项

1.一种把光能变换为电能的光生伏特电池，具有透光性的基片，在上述基片上的透光性的第1电极层，在上述第1电极层上的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层上的第2导电型的第3半导体层、在上述第3半导体层上的第3导电型的第4半导体层，以及在上述第4半导体层上的第2电极层，本发明的特征是，上述第1半导体层的厚度t1为25A＜t1＜300A，而上述第2半导体层的厚度t2为1000A＜t2＜1000A；在上述第1及第2半导体层生成多数载流子的激活电能分别是在0.3eV以下及0.3eV以上。