[其他]用于离子镀膜的冷U阴极装置无效
申请号: | 85103651 | 申请日: | 1985-05-22 |
公开(公告)号: | CN85103651A | 公开(公告)日: | 1987-04-15 |
发明(设计)人: | 王殿儒;田大准 | 申请(专利权)人: | 中华钛金研究所 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28 |
代理公司: | 北京市专利事务所 | 代理人: | 王敬智 |
地址: | 北京市东皇*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于离子镀膜技术的冷U阴极装置,属于离子镀膜技术领域。传统的冷电弧阴极镀膜装置存在进气方式欠佳,阴极内衬和自加热衬套不好,电弧不能偏转等缺点。本发明的冷U阴极镀膜装置进气方式好,发射电流大,电弧可偏转、阴极内衬和自加热衬套性能好,可以镀金属件或塑料制品,镀膜质量高、色泽鲜艳、价格便宜。 | ||
搜索关键词: | 用于 离子 镀膜 阴极 装置 | ||
【主权项】:
1、一种冷U阴极装置,其特征在于,采用底部进气,附有阴极内衬,装有反射衬套的冷空腔阴极,并具有长寿命、低气压、大电流,可偏转的电弧放电,致使坩埚阳极中的材料蒸发和离化,从而,可在负偏压作用下,在被镀工件表面上,形成多种具有优异特性的表面膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华钛金研究所,未经中华钛金研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/85103651/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类