[其他]半导体工艺无效
| 申请号： | 85104071 | 申请日： | 1985-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN85104071A | 公开（公告）日： | 1986-11-26 |
| 发明（设计）人： | 彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 | 申请（专利权）人： | 标准电话电报公共有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陈景俊 |
| 地址： | 英国伦敦WC*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于制造半导体器件特别是但不只是Inp/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生长InP时，卤化碱可以是KI、RbI或CsI，并且可将一定量的In金属(21)放在坩埚(16)里，以控制确定激光器有源区的InP的生长与InP从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
1、供制造半导体器件用的质量传递工艺，其特征是在一未密封的坩埚(16、17)内放置要由质量传递生长材料的半导体晶片(15)，生长材料的盖片(18)和晶状卤化碱(20)，然后将未密封的坩埚(16、17)于一温度下，在还原气体中加热，其时间由所需求的生长量而定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
