[其他]低压电可编程序只读存储器无效
| 申请号： | 85104497 | 申请日： | 1985-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1004738B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种改进了的ＥＥＰＲＯＭ元件，它更适宜于制造高密度器件。单个元件包括一个浮置栅，它是通过沟道注入充入电荷而通过隧道卸去电荷的，漏区是精确定位的，且此源区薄一些。在ｎ－沟道装置中，ｎ型杂质和Ｐ型杂质都用来形成源区和漏区，然后对源区进行第三次掺入杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 程序 只读存储器 | ||
【主权项】：
1、在硅基底上形成的电可编程序和电可清除只读存储器由下述部分组成：在上述基底上形成源区和漏区，在上述源区和漏区之间有沟道区；浮置栅完全由绝缘体隔离，并且是安置在上述沟道区之上；控制栅与上述浮置栅绝缘，且安置在上述浮置栅之上；与上述源区相比，上述漏区是精确定位的且是较薄的；浮置栅是通过来自沟道区的热电子沟道注入充以电荷的，浮置栅上的电荷是经穿过绝缘体的隧道注入到基底的；因此，可以得到高密度的元件。
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