[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 85104521.9 | 申请日： | 1985-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1004780B | 公开（公告）日： | 1989-07-12 |
| 发明（设计）人： | 穆利文;瓦尔斯达尔 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一个具有隐埋阻断层限流的双异质结型(DH)半导体激光器，根据本发明，一个晶体结构被扰乱了的高阻区延伸在条形有源区4A两边的外上方，从对着衬底的半导体本体这边，至少贯穿了阻挡层的厚度。因此，横向漏电流和寄生电容被减小，使该激光器能用于在显著高于1GHz的频率。高阻区(14)最好用质子轰击得到。本发明对用于光通讯的DCPBH激光器特别有益。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.本半导体激光器由第一导电型的衬底和在衬底上的层结构的半导体材料组成的，所说的层结构至少依次有一个第一导电型的第一无源层，一个第二相反导电型的第二无源层，一个位于第一、第二无源层之间的具有pn结的有源层和一个限流阻断层，pn结在足够高的正向电流作用下，在位于共振腔内的有源层的条形区内产生相于电磁辐射，第一第二无源层对产生的电磁辐射的折射率较低，带隙比有源层大，限流阻断层在有源层面上有一个条形断路；第二无源层及衬底与导线电气地相连；本发明的特点在于，一个晶体结构被扰乱了的高阻区延伸在条形有源区4A两边的外上方。从对着衬底的半导体本体这边，至少贯穿了阻挡层的厚度。
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