[其他]金属—氧化物—半导体后部工艺无效
| 申请号： | 85104650 | 申请日： | 1985-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1003965B | 公开（公告）日： | 1989-04-19 |
| 发明（设计）人： | 利奥波杜;罗伯特;肯尼思;吉克;戴维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌 |
| 地址： | 美国加里*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明可以减少导电层在光刻、合金及钝化过程中形成的缺陷，在光刻以及温度高于２００℃的工艺之前，利用低温旋涂的方法在导电层上形成一个有色的玻璃层，通过在导电层上形成一个复合层的方法完成气密钝化，此复合层由两部分组成：下层为张力层，上层为压缩层，整个钝化层呈现净张力特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 后部 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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