[发明专利]辉光放电分解装置无效
申请号: | 85104968.0 | 申请日: | 1985-06-29 |
公开(公告)号: | CN1014082B | 公开(公告)日: | 1991-09-25 |
发明(设计)人: | 太和田喜久;中山威久;田井雅彦;生地望 | 申请(专利权)人: | 钟渊化学工业株式会社;株式会社岛津制作所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本大阪府大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 带有接地电极、基片、RF电极、射频电源、带有至少一个电元件的控制电路和匹配电路的辉光放电分解装置、基片都并行装在设置在各个RF电极上的接地电极上,各RF电极并行设置并彼此绝缘;匹配电路从射频电源接收射频能量;控制电路从匹配电路接收射频能量,并向RF电极提供射频能量;通过提供受到控制电路独立控制的射频功率,在基片上制作出薄膜,从而使等离子体在各电极上都受到控制。 | ||
搜索关键词: | 辉光 放电 分解 装置 | ||
【主权项】:
1.通过辉光放电分解在基片上沉积薄膜的装置,其包括:一个射频电源9,一个匹配电路8,以及由两个接地电极31、32,两个射频电极11、12和至少含有一个电元件的控制电路所构成的单元,接地电极31、32与射频电极11、12相对设置,基片41、42被设置于接地电极31、32上并与所述的射频电极相对,所述的两个射频电极11与12相互平行,匹配电路8与射频电源9相联,控制电路从匹配电路8接受射频能量并通过其输出端将射频能量输送给射频电极。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的