[其他]可控制接通的硅可控整流器

摘要

一多级放大硅可控整流器包括一在硅可控整流器两相邻级之间的集成的电流控制电阻区，除硅可控整流器主级外，其他级均用于限制接通电流。硅可控整流器主要用来减小接通时di/dt故障，而无需在硅可控整流器内附加外部电路来限制。在接通期间，通过该区与硅可控整流器每级的发射极进行足够的隔开和充分的屏蔽和通过将电阻区与最低发射极区的一部分进行充分的隔开或屏蔽，可防止电流控制电阻区的调制，最低发射极区包含硅可控整流器前一级的接通等离子区。

主权项

1、在多级放大硅可控整流器中，包括半导体片、第一发射极电极、内级和外级发射极电极和电流控制电阻区；上述半导体片包括一个第一发射极层，在上述的第一发射极层上面的第一基极层、在上述第一基极层上的第二基极层、在上述第二基极层上的内级发射极层和在上述第二基极层上面的外级发射极层，同时它接近从上述内级发射极层向外的方向上并处在该方向上。在上述第一发射极层下面的上述第一发射极电极；在第一部分中的上述内级发射极电极，它重叠在上述内级发射极层上，同时在第二部分中，处在上述第一部分向外的位置上，它重叠在上述第二基极层上；重叠在上述外级发射级层上的上述的外级发射极电极。上述电流控制电阻区，由它构成上述第二基极区的一部分，第二基极区限定在由上述内级发射极电极的外沿所定义的内侧，并向外延伸，但与上述外级发射极层隔开。具有未调剂电阻的上述电流控制电阻区，选择电阻值时，应将放大硅可控整流器前面每级内的接通电流限制到安全值上。上述多级放大硅可控整流器的改进应与上述技术结合，以在上述硅可控整流器接通期间，减小电流控制电阻区调制，包括：上述的内级发射极电极的外沿从下述任一种边沿向外延伸一个预先确定的距离：上述第一级发射极层的内沿，在上述内级发射极层下面的接通等离子区的外沿，上述第一级发射极层的外沿。该距离至少大于一个上述的半导体片的厚度和在上述第一基极层内两个双极扩散长度之和。