[发明专利]复合磁控溅射靶及其镀膜方法无效
申请号: | 85105634.2 | 申请日: | 1985-07-25 |
公开(公告)号: | CN1004495B | 公开(公告)日: | 1989-06-14 |
发明(设计)人: | 范玉殿 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 张善余 |
地址: | 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种磁控溅射靶装置,由至少两个可调场强的电磁单元拼装而成,这些单元共用一个阴极靶板和溅射电源,各个单元的靶面场强可以通过各自的电磁铁分别加以调节,从而实现各单元的功率分别调节,各个单元可以单独使用或同时使用,当各个单元分别采用异种材料的靶材时,该溅射装置可以实现镀制各种金属材料(包括铁磁材料)的合金膜,并实现合金膜成份的连续调节。 | ||
搜索关键词: | 复合 磁控溅射 及其 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁控溅射装置,其特征在于该装置具有两个或多个电磁单元,每个电磁单元各配置一个具有独立的励磁电源和磁极对(即N极和S极)的电磁铁,以产生各自的跑道磁场,全部电磁单元的靶板相互邻接(导电)构成一个阴极靶板,并共用同一个溅射电源。
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