[其他]高速硅光敏三极管无效
| 申请号： | 85105936 | 申请日： | 1985-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN85105936B | 公开（公告）日： | 1987-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何民才 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 陈畅生,龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种改进的硅光敏器件。它利用PN结对光生少数载流子的侧向收集作用，把光敏管的集电结设计成网状，使受光面包括了基区表面和网眼集电区表面两部分。从而达到了既减小集电结面积又不减小受光面的目的。若把发射区设计成细条结构并选用适当电阻率、较薄层厚的硅外延片为衬底材料，则此硅光敏三极管的响应时间可降低到0.5微秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 光敏 三极管 | ||
【主权项】：
1、一种高速硅光敏三极管，其特征在于：所说的光敏三极管的受光面包括暴露于受光面的集电区和基区，所说的基区为网格状，所说的暴露于受光面的集电区位于被基区包围的网眼部分;所说的光敏三极管的集电区不仅包括通常的位于基区下部的集电区，而且还包括与下部集电区相通的，多个位于被基区包围的网眼部位的暴露于受光面的集电区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/85105936/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
