[其他]结型场效应晶体管电阻式差动放大器无效
| 申请号： | 85106483 | 申请日： | 1985-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN85106483A | 公开（公告）日： | 1987-03-18 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·艾伦·赖德尔;托马斯·约瑟·梅戈 | 申请（专利权）人： | 基思利仪器公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;G01R15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里JFET晶体管差动放大器对电表运算放大器来说作为输入级，它呈现高输入阻抗和低泄漏电流。此目的的实现是由给JFET晶体管加置偏压使其工作在漏极电流——栅源电压特性曲线的电阻区而不是饱和区。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 电阻 差动 放大器 | ||
【主权项】：
1、JFET差动放大器，包括：第一和第二JFET晶体管，其漏极连接在一起，第一和第二电阻器，它们分别连接到上述晶体管的源极并汇成一个结点，一个连接到上述晶体管栅极的输入电路和一个连接到上述晶体管源极的输出电路。为了通过上述电阻器给上述源极加偏置，对上述结点提供直流偏置电压VSS的装置，提供一直流漏极偏压VDD至所说共同连接的漏极的装置，其特征是：上述偏置电压供给装置提供选定数值的电压，以使上述JFET晶体管工作在漏电流ID一漏源电压VDS特性曲线的电阻区，由此作为电压控制的电阻器，其阻值随栅一源电压VGS的大小而变化。
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