[其他]光生伏打器件及其制造方法

摘要

本发明包括一种光生伏打器件及其制造方法，其中第一电极薄膜(12a、12b和12c)分别布置在基片(10)上，半导体光敏薄膜层(13)和第二电极薄膜(14)位于各第一电极薄膜上。通过腐蚀清除(13)的一部分，使相邻区域中的(12a)有部分显露，同时使第二电极薄膜(14a)与半导体光敏层(13a)的凹陷处接触部分(145a)显露，通过腐蚀将其清除，再用连接电极薄膜(6a)使(12a)的显露部分与(14a)进行电连接。

主权项

1、一种光生伏打器件的制造方法，包括：第一步，把第一电极薄膜分别布置在基片表面的各个区域里；第二步，加上一层薄膜型半导体光敏层，它用来形成载体，从而产生电能，还加上第二电极薄膜。使上述半导体光敏层和上述第二电极薄膜延伸复盖在各相邻第一电极薄膜上；第三步，在第二电极薄膜上布置带孔的掩膜，通过掩膜孔对显露部分进行腐蚀，从而清除掉上述第二电极薄膜的显露部分，因此，上述第二电极薄膜被分割成许多区域，而上述半导体光敏层被部分显露出来；第四步，通过上述掩膜孔进行腐蚀，将位于上述第二电极薄膜各个间隔区域中半导体光敏层的显露部分清除掉，从而，使相邻区域中第一电极薄膜部分显露出来；第五步，将上述各个第一电极薄膜的显露部分与和其相邻的区域中第二电极薄膜进行电连接；其进一步特征在于上述的第四步还包括这样一个步骤：通过使用在上述半导体光敏层腐蚀过程中使用过的掩膜，腐蚀清除掉面向半导体光敏层的第二电极薄膜的接触面的显露部分，该显露部分是由上述对半导体光敏层的腐蚀，从下部蚀空而显露出来的。