[发明专利]存贮器电路无效
申请号: | 85107929.6 | 申请日: | 1985-09-30 |
公开(公告)号: | CN1006586B | 公开(公告)日: | 1990-01-24 |
发明(设计)人: | 木村光一;小仓敏彦;青津広明;池上充;桑原祯司 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G09G1/02 | 分类号: | G09G1/02 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 匡少波 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一个在其所具有的存贮器元件上可任意进行数据的读出,写入和存贮运算的存贮器电路,存贮器元件具有双值/算术运算功能。在存贮周期中进行的读出/修改/写入状态下和在其中有来自存贮器元件的数据及来自外部器件的数据存在的间隔中,对外部数据和存贮器元件中的数据进行某种运算,并在写入周期将运算结果存入,从而实现一件高速操作。 | ||
搜索关键词: | 存贮器 电路 | ||
【主权项】:
1.一个存储器电路,该电路包括(a)在其上可任意进行读出,写入和存储数据操作的存储器元件其特征在于:在一大规模集成电路器件上还包括和上述存储器元件一起的(b)控制电路装置,用于对上述存储器元件外部的器件提供的第一数据,上述存储器元件提供的第二数据和上述存储器外部的器件提供的第三数据作出响应;上述控制电路装置对上述第一,第二和第三数据作出响应以三种状态中选择的一种状态形式向上述存储器提供数据;上述三种状态中,第一种状态响应上述第三数据用于在上述存储器元件中存储所述第一数据;第二种状态响应上述第三数据和第一数据用于再次在上述存储器元件中存储上述第二数据;第三状态响应上述第一和第三数据用于在上述存储器元件中将上述第二数据反相来存储一数据状态。
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