[其他]多结半导体器件无效
| 申请号： | 85107988 | 申请日： | 1985-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1003027B | 公开（公告）日： | 1989-01-04 |
| 发明（设计）人： | 高田纯;山口美则;太和田喜久 | 申请（专利权）人： | 钟渊化学工业株式会社 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个含有Ｐ－层，ｎ－层和扩散阻挡层的耐热多结半导体器件，其扩散阻挡层提供在Ｐ－层和ｎ－层之间。该半导体器件能够减少由于Ｐ－层和ｎ－层中的掺杂剂原子分别扩散到其它原中所引起的品质下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种串接型半导体器件，它包括两个以上各自具有至少一个P型半导体层和至少一个n型半导体层的叠层电池，最外层的半导体层上配有一个电极，而且具有改善的耐热和耐光性其特征在于：至少一个杂质扩散阻挡层夹在一P型半导体层和一n型半导体层之间，所述扩散阻挡层是由从以下物质组中选出的至少一层所组成的，该物质组包括氮化物层，透明导电氧化物层，金属硅化物层，可形成硅化物的金属层，不含氢的半导体层以及硅化物层。
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