[其他]聚碳硅烷的合成方法无效
| 申请号： | 85108006 | 申请日： | 1985-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN85108006A | 公开（公告）日： | 1987-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨淑金;刘心慰;黄海珍;费逸伟;姜秀珍 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08 |
| 代理公司： | 国防科技大学专利办公室 | 代理人： | 文伟能 |
| 地址： | 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种聚碳硅烷的合成方法，其特征是在常压下利用高温裂解反应柱和冷却柱，控制反应瓶温度在150-500℃、裂解区温度在200-700℃。反应时间在30分钟-10小时，用含硅-硅键、硅-碳键、硅-卤键的有机化合物及其混合物进行单程一步合成。用本发明合成的聚碳硅烷数均分子量★n为100-2000。产品在一般条件下存放稳定。本发明工艺流程和设备简单，合成反应时间短。反应条件易于控制，产率为55-65％。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种聚碳硅烷的合成方法，包括在常压下利用高温裂解反应柱和冷却柱，其特征是：适当控制反应瓶温度、裂解区温度、反应时间单程一步合成。原料用含硅-硅键、硅-碳键、硅-卤键的有机化合物及其混合物。
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