[其他]半导体器件无效
| 申请号： | 85108134 | 申请日： | 1985-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN85108134A | 公开（公告）日： | 1986-07-02 |
| 发明（设计）人： | 植木善夫 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本东京都品*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有npn和pnp晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管，以及在n型外延层上所形成的一n型半导体区域内形成pnp晶体管，n型半导体区域具有一高于n型外延层的杂质浓度，即使n型外延层的厚度被减小，仍可以防止pnp晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、具有npn和pnp晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管，以及在n型外延层上所形成的一n型半导体区域里形成pnp晶体管，上述n型半导体区域具有一高于上述n型外延层的杂质浓度。
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