[其他]程序可控半导体结构及其编制程序法无效

专利信息
申请号: 85108221 申请日: 1985-11-12
公开(公告)号: CN1006262B 公开(公告)日: 1989-12-27
发明(设计)人: 斯塔福德·R·奥夫辛斯基;罗伯特·R·约翰逊;文森特·D·肯尼拉;茨维·亚尼夫 申请(专利权)人: 能源转换装置公司
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘晖
地址: 美国密执*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种类型的集成电路陈列,包括几个程序可控单元,可以将这些程序可控单元编成四种可能的电阻抗状态。例如:第一种状态是在两个方向上电阻抗都是高的;第二种状态是在一个方向上电阻抗是高的,在相反方向上电阻抗是低的;第三种状态是在相反方向上电阻抗是高的,在第一个方向上电阻抗是低的;第四种状态是在两个方向上的电阻抗都是低的。
搜索关键词: 程序 可控 半导体 结构 及其 编制
【主权项】:
1、一种改进类型的程序可控阵列(30、70、110、170)有很多单个的程序可控单元和第一套与第二套地址线(34、38;38、82;82、112;112、114;114、116;116、118)。每套导线中间留有许多个间隔分开这些导线。其中把上述程序可控单元在每套上述第一和第二套地址线中至少用一条导线连接,改进的特征在于:上述程序可控单元(10、20、54、160、172)的每一个在最初至少用很多整流半导体结(12、14;50、52)串联形成的,再将每个单元程序控制成四种状态之一,上述四种状态中的第一种状态(图1A、2A、20A)是在两条导线之间的单元电阻抗在两个方向上都是相对比较高的,第二种状态(图1B、2B、20B)是在两条导线之间的单元电阻抗在一个方向上是相对比较高的,而在相反方向上是相对比较低的,第三种状态(图1C、2C、20C)是在两条导线之间的单元电阻抗在上述相反方向上是相对比较高的,而在上述第一个方向上是相对比较低的,第四种状态(图1D、2D、20D)是在两条导线之间的单元电阻抗在上述两个方向上都是相对比较低的。
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