[其他]高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料的制造方法无效
| 申请号： | 85108454 | 申请日： | 1985-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN85108454B | 公开（公告）日： | 1987-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘梅冬;贾连娣;赖希伟;张绪礼;陈志雄;周方桥;莫以豪 | 申请（专利权）人： | 华中工学院 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;C04B35/46 |
| 代理公司： | 华中工学院专利事务所 | 代理人： | 陈志凌,郑友德 |
| 地址： | 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种居里温度大于310℃的正温度系数热敏电阻半导体致密陶瓷材料，采用快速烧结技术，可有效地防止Pb挥发，控制晶粒长大，材料的室温电阻率可小于103欧姆·厘米，电阻率比值可达到4个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 温度 系数 热敏电阻 半导体 陶瓷材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以(Ba1-xPbx)TiO3(x＝40～70mol％)为基础，加入(0.05～0.40)mol％Nb2O5，(0.5～5)mol％SiO2，(0.1～1)mol％Al2O3，(0.001～0.1)mol％Mn(NO3)2和(1～5)mol％TiO2的高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料烧结工艺：在大气气氛中烧结，烧结温度为1270～1350℃，其特征是，烧结时间为2～20分钟，升温速率为100～600℃/分，降温速率为10～100℃/分。
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