[其他]互补半导体器件无效
| 申请号： | 85108969 | 申请日： | 1985-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1004736B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 渡边笃雄;长野隆洋;池田隆英;门马直弘;斋藤隆一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一具有ｎ型和Ｐ型陷井区的单片互补半导体器件，其ｎ型和Ｐ型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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