[其他]薄膜晶体管的制作方法无效

专利信息
申请号: 85109088 申请日: 1985-11-15
公开(公告)号: CN85109088A 公开(公告)日: 1986-08-27
发明(设计)人: 林久雄;野口隆 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L29/78
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 肖春京
地址: 日本东京都品*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 薄膜晶体管制作方法在防定的基板上形成一层多晶半导体薄膜;将预定的离子注入多晶半导体薄膜中,以形成一层非晶半导体薄膜;在非晶半导体薄膜上,形成一层栅绝缘薄膜和一栅电极;利用栅电极和栅绝缘膜作掩膜进行掺杂,以便在非晶半导体薄膜中形成源区和漏区;进行退火以实现非晶半导体薄膜的固相生长,同时使杂质电激活,以形成源区和漏区。上述方法能促使非晶半导体薄膜的固相生长的退火工艺,不必与促使杂质电激活以形成源区和漏区的退火工艺分开。
搜索关键词: 薄膜晶体管 制作方法
【主权项】:
1、一种制作薄膜晶体管的方法,其特征在于:在一预定的基板上,形成一层多晶半导体薄膜;将预定的离子注入所说的多晶半导体薄膜中,以形成一层非晶半导体薄膜;在所说的非晶半导体薄膜上,形成一层栅绝缘膜和一栅电极;利用所说的栅电极和栅绝缘膜作掩膜,进行掺杂,以便在所说的非晶半导体薄膜中形成源区和漏区;进行退火以实现所说非晶半导体薄膜的固向生长,同时使杂质电激活,以形成所说的源区和漏区。
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