[其他]缓变晶格外延层的生长

摘要

本发明揭示了一种在基片上生长立方晶系半导体材料的外延层的方法。其中外延层的晶格常数从邻接于基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数，生长表面被形成在基片上。在外延层的晶格常数从初始晶格常数变至最终晶格常数时，便生长成外延层。

主权项

1、由立方晶系的半导体材料组成的上述外延层在基片上生长的方法。当生长结束时，处延层的晶格常数可以从相邻于上述基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数。此外延层生长的方法包括，在上述基片上形成大量的生长表面的步骤，外延层上述生长表面上生长和控制上述外延层的晶格常数，它从上述初始的晶格常数变化至上述最终的晶格常数。上述的生长表面和受控制的晶格常数的变化是这样的，在上述外延层生长期间，对于上述外延层表面上每一个初始面积元，它在初始点有一初始晶格常数，过段时间后，在上述外延层表面上就有一个与之相关的类似面积元，它在类似点有一类似的晶格常数。在时间上上述类似点发生在初始点之后。每一个初始的面积元和与其相关的类似的面积元之比，如果上述初始的晶格常数比上述类似晶格常数小，那么，就小于1，如果上述初始的晶格常数比上述类似的晶格常数大，那么，就大于1。在上述外延层生长时，控制每一个初始的面积元和与之相关的类似面积元之间的相互关系，使得在外延层生长继续进行时，从初始面积元生长出来的上述外延层的那部分的表面和上述相关的类似面积元的表面在上述类似点处相吻合。