[发明专利]高强度发射装置无效

专利信息
申请号: 85109598.4 申请日: 1985-12-23
公开(公告)号: CN1007561B 公开(公告)日: 1990-04-11
发明(设计)人: 戴维·姆·卡姆;尼古拉斯;庇·哈尔平;安东尼;杰·第·豪斯顿;阿恩舍维尔 申请(专利权)人: 沃泰克工业有限公司
主分类号: H01J61/52 分类号: H01J61/52;H01J61/28;H01J61/84
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 关定毅,许新根
地址: 加拿大温哥*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种高强度发射源,利用涡流发生构件在电弧室内表面上形成-液体涡流壁,以限制电极间产生的电弧的直径。该涡流发生构件包括一个液体进入电弧室前必须先经过的环形限制构件,其尺寸足以使电弧室内有足够的压力和速度,以减少或消除可能传输至电弧室内液壁的流动不规则的现象,可装一喷嘴以产生液体和气体所需的轴向涡流流型。邻近电弧室的排放室均匀变细,以防止干扰流动。电极上的翘片用于减少电弧室内的反向气体、液体流。
搜索关键词: 强度 发射 装置
【主权项】:
1.一种产生高强度发射的装置,包括一个细长圆筒形电弧室,同轴置于所述电弧室内的第一及第二电极构件,能把液体注入到所述电弧室内且在其内周缘上形成圆筒形液壁并可通过冷却所述电弧放电的周缘来集聚弧光放电的液体涡流发生构件,以及把具有涡流运动的气体通过所述圆筒形液壁的内部注入到所述电弧室内的构件,其特征在于:本装置还包括一个位于所述液体涡流发生构件内能够减少注入所述电弧室中的液体宏观紊流的环形涡流限制构件。
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