[其他]真空远红外充氮亚胺化装置无效
| 申请号： | 85200146 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85200146U | 公开（公告）日： | 1986-01-15 |
| 发明（设计）人： | 廖萃荃 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/47 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 姚建楠 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件和集成电路表面有机钝化用新设备。其特征在于选用了波长为2～15μm范围的远红外线辐射源，并用真空减压、连续充氮气的方法，使得整个恒温亚胺化过程，始终产生断续变化的远红外线辐照，达到阶梯升温、恒温、迅速排除反应生成聚缩水的要求，同时也有效地防止了硅片上铝层的氧化。本装置除在半导体器件及集成电路中作钝化层和内涂层的加工外，还能用于多层布线介质层的加工和其它需要制取高质量聚酰亚胺膜的地方。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 红外 亚胺 化装 | ||
【主权项】：
1、一种真空远红外线充氮亚胺化装置由真空远红外炉〔17〕，程序加热温度补偿控制仪〔18〕，半导体精密控温仪〔16〕、机械真空泵〔19〕构成，其特征在于所述的远红外炉采用两块对置的远红外辐射板〔2〕和氮气喷嘴管〔14〕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
