[其他]CMOS型集成流量传感器无效
| 申请号： | 85200263 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85200263U | 公开（公告）日： | 1986-01-01 |
| 发明（设计）人： | 童勤义 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 姚建南 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本CMOS型集成流量传感器属于半导体集成电路领域。工业上经常需要流量计来测量气体的流量。现有的一般采用热丝装置以及双极型的半导体流量传感器，因不能将信号处理电路做在同一芯片上，所以成本高，不利于生产。本传感器为CMOS型集成流量传感器，在同一芯片上可同时集成差分放大器和信号处理电路。功耗小，性能稳定，便于大量生产。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 集成 流量传感器 | ||
【主权项】：
一种测量气体流量的半导体传感器，由差分放大器及信号处理电路组成，其特征在于将差分放大器与信号处理电路集成在同一块芯片中，其中差分放大器采用NMOS管，信号处理电路采用CMOS管制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
