[其他]湿法腐蚀装置无效
| 申请号： | 85203849 | 申请日： | 1985-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN85203849U | 公开（公告）日： | 1986-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘振芳;蔡福兴 | 申请（专利权）人： | 航天工业部七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/456 |
| 代理公司： | 航天工业部专利事务所 | 代理人： | 管洁,容敦璋 |
| 地址： | 陕西省临潼*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种湿法化学腐蚀装置，用以腐蚀介质薄膜，特别适用于半导体器件生产工艺中Si3N4介质膜的湿法腐蚀，可耐200℃高温。在腐蚀容器[2]上的盖子[1]内侧布满回形冷却管[3]，当腐蚀液加热时，管子接通冷却水，这样因受热产生的腐蚀液蒸汽在管子上遇冷而凝聚下来，滴回腐蚀液中，从而能很好地保持腐蚀液的组分，不改变腐蚀速率，保证腐蚀质量。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
1.一种由腐蚀容器〔2〕、容器盖〔1〕构成的湿法腐蚀装置。本实用新型的特征在于容器盖子内侧有冷却管〔3〕，粘结或烧结在容器盖子上，冷却管的两头通过盖子的两个相对或相邻的侧壁和外面的冷却水相通。容器内装有可供测温的装置〔4〕，冷却管进、出口和盖子的交接处应没有缝隙，盖子和容器的接合面〔a〕应严密吻合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
